电容的分类：

DRAM：基本原件是电容，需要定时刷新，存储速度较慢

DRAM又分为：SRAM(同步动态随机存储器synchronous dynamic random access memory)

      DDR(双倍速率同步动态随机存储器double data rate sdram)

      DDR2（在ddr的基础上改进）

SRAM:是一种静止存取功能的内存，不需要定时刷新，存储速度快，缺点是功耗大，成本高，常用作存储容量不高但是存储速度较快的地方（stepping stone：垫脚石）

 

 

内存的内部结构是一个如同一个数据表格，称为结构表

 

一般一个内存单元中会被 划分为4个 L-BANK

 

2440中有27根地址线，可以寻址128M的空间。

2440中将bank7和bank6做内存总共64M的内存空间

 

为了寻址更大的空间，2440提供了片选信号，总共有8 个管脚提供8个片选信号

 

 

内存初始化：（CPU对内存的访问时通过存储控制间接访问的）

 

BWSCON:0X48000000（设置外接存储器的总线宽度和等待状态）

总共32位，分成8组，每组4位，分别控制8个bank

STX:

0：没有用UB/LB

1：用UB/B

注意：UB/LB pin脚，用来分别访问数据的高低字节

WSX:

总线等待使能，一般是不让其等待的

DWX:

数据线宽度

 

BANKCONn:总共是有6个，其控制字不变，保持其默认值ox00000700

 

BANKCON6：（需要分别设置,16位）

BANKCON7：（需要分别设置，16位）

MT[16:15]：决定存储器类型

Trcd[3:2]:决定是行列信号的转化时间，芯片手册的时序图是两个时钟周期

SCAN[1:0]:决定列的数量，查看内存手册是9

 

REFRESH:0x48000024（23位）：

REFEN[23]:决定存储器是否刷新，1=刷新

TREFMD[22]:决定存储器刷新模式，0=自动刷新

 

Trp[21:20]:决定列刷新频率， 根据内存手册时序逻辑图，00=两个时钟周期

Tsrc[19:18]:决定行刷新频率，11=7个时钟周期

Refresh Counter[10:0] ：决定SDRAM刷新的时间（这里和前面的列和行刷新不一样），根据计计算公式 取十进制数1269

 

BANKSIZE:0X48000028(8位)：

BURST_EN[7]:使能ARM内核突发模式，一次处理器可以批量的访问内存数据，1=使用

SCKE_EN[5]:是否使用节电模式，1=使用

SCLK_EN[4]:串行时钟使用时启动，1=使用

BK76MAP[2:0]:定义内存大小，000=32/32

注意：2440的内存初始化总共需要初始化13个控制寄存器

 

 

MRSB6/7:0X4800002C/0X48000030:内存模式（12位）

CL[6:4]：CAS latency 固定内存寻址存储持续时间，跟在列/行寻址后持续的时间，011=查看芯片手册时序时间表。

 

 

6410存储器空间：

32位地址线，最大寻址4G内存空间，一般高2G空间是，低2G 空间。

其中低2G存储空间是又被分为：

外设存储空间和主存储空间

主存储空间又被分为：

动态存储区

保留区

内部存储区

镜像存储区

静态存储区

 

 

 

总结：无论是时钟初始化的寄存器，还是内存初始化的寄存器，其寄存器的地址空间都是处于内存中的外设区